Электронные устройства мехатронных и робототехнических систем.фроб_БАК

Скачать тест — (Электронные устройства мехатронных и робототехниче_02dee2e1.pdf)

Диоды, создающие некогерентное световое излучение в диапазоне 0.45 – 0.68 мкм называются …
… — объединенные в одном корпусе свето- и фотодиоды
Если по каким-то причинам из кристаллической решётки Si будет «выбит» электрон, то на его месте образуется … заряженная «дырка»
Трёхслойный полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами для усиления входного сигнала называется …
… транзисторы представляют собой тонкую пластинку слаболегированного германия или кремния с электронной или дырочной проводимостью, на которой методом вплавления или диффузии получены два электронно-дырочных перехода.
… транзистор – это полупроводниковый прибор, ток которого управляется электрическим полем и который предназначен для усиления электрических сигналов
… — трехэлектродный полупроводниковый управляемый прибор с тремя p-n-переходами и двумя устойчивыми соединениями.
Триодные тиристоры только с управляемым включением называются …
… — это приборы, которые могут проводить ток в обе стороны, то есть это не что иное, как два тиристора включенных параллельно
Включение тиристора посредством подключения его к выводам какого-либо источника энергии, создающего в нём ток обратного направления называется …
Полупроводниковые диоды, предназначенные для использования их ёмкости:
Диоды, в которых при поглощении световых квантов образуются новые носители зарядов
В результате непосредственного воздействия на кристаллическую решётку полупроводника в области p-n-перехода сильного электрического поля возникает:
В результате столкновения носителей заряда с атомами кристаллической решётки в области перехода, сопровождающегося процессом ионизации атомов, приводящий к разрыву ковалентных связей
В следствие процесса разогрева полупроводникового p-n-перехода при прохождении обратного тока появляется:
Из-за дефектов кристаллической решётки в области выхода полупроводникового перехода на поверхность кристалла появляется:
Развитие полупроводниковых приборов и микротехнологии привело к созданию интегральных схем, содержащих … и более полупроводниковых элементов в 1 см3.
Совокупность устройств и объектов, образующих путь для электрического тока электромагнитные процессы в которых могут быть описаны с помощью математических зависимостей, электродвижущей силы, тока и напряжения
Преобразуют химическую, механическую, тепловую, световую и другие виды энергии в электричество
Устройство, осуществляющее обработку цифровой информации и управляющее этим процессом, выполненное в виде одной или нескольких интегральных микросхем (ИМС) называется:
Провода относятся к:
Выключатели, коммутаторы, предохранители относятся к:
Участок электрической цепи, по элементам которой протекает один и тот же ток
Место соединения трёх и более ветвей схемы
Замкнутый путь, проходящий через несколько ветвей и узлов схемы
Часть электрической цепи с двумя выделенными полюсами-зажимами, с помощью которых она соединяется с другой частью схемы
Вычислительно-управляющее устройство, предназначенное для выполнения функций логического контроля и управления различными техническими объектами, и сочетающее в себе микропроцессорное ядро и набор встроенных устройств ввода-вывода
Математическая модель реального устройства, учитывающая происходящие в нём физические процессы – это …
Основной единицей мощности в системе СИ является:
Для расчётов линейных цепей часто применяется … , который может быть применён ко всем электрическим цепям, описываемым линейными уравнениями.