Электроника.dor_БАК_25-063-Б

Скачать тест — (Электроника.dor_БАК_25-063-Б_01660e98.pdf)

  1. … — отрасль науки и техники, связанная с исследованиями, разработкой, изготовлением и применением электронных, ионных и полупроводниковых устройств
  2. Область электроники, решающая проблемы конструирования, изготовления и применения интегральных схем и функциональных устройств называется …
  3. Приборы, которые преобразуют входные световые сигналы в электрические, принято называть … приборами
  4. Приборы, у которых под воздействием входных электрических сигналов на выходах формируются световые сигналы, принято называть … приборами
  5. Приборы, у которых тепловые сигналы на входах и электрические на выходах, принято называть … приборами
  6. Первая цифровая интегральная микросхема была создана Джеком Килби и Робертом Нойсом в …
  7. Электронный диод был изобретен в …
  8. Транзистор был изобретен в …
  9. Установите соответствие между понятиями электронных приборов и их определением:
  10. Установите последовательность электронных приборов согласно хронологии их появления и технологического прогресса в области энергетики и силовой электроники:
  11. Корректность работы электрооборудования, особенно в промышленных масштабах, напрямую зависит от соблюдения стандартных значений частоты. Поэтому Россия, как и многие другие страны, строго придерживается стандарта для обеспечения стабильного и безопасного функционирования своей электросети и подключенного к ней оборудования.
    Какова частота переменного электрического тока, принятая в Российской Федерации?
  12. Полупроводниковый … — это самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n-перехода
  13. Явление возникновения осцилляций тока (~10^9–10^10 Гц) в однородном полупроводнике при приложении к нему сильного электрического поля — это эффект …
  14. … диод — это полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении
  15. Приемник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счет процессов в p-n-переходе, принято называть …
  16. … диоды — это диоды, использующие для преобразования переменного тока в постоянный
  17. Говоря о характеристиках диодов Шоттки, можно утверждать, что … (укажите 2 варианта ответа)
  18. Функция полупроводникового диода заключается в том, чтобы …
  19. В зависимости от конструкции и технологии изготовления выделяют … диоды
  20. Установите соответствие разновидностей полупроводниковых диодов и их характеристик:
  21. Расположите этапы работы силовых полупроводниковых диодов в хронологической последовательности:
  22. … транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три электрода
  23. … переход — это переход между базой и коллектором
  24. Эмиттерный переход — это электронно-дырочный переход между эмиттером и …
  25. Полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей, имеющий три или более выводов, принято называть …
  26. … биполярного транзистора — это одна из крайних областей транзистора, предназначенная для инжекции (впрыскивания) неосновных носителей заряда в область базы
  27. Граничная частота среднечастотных биполярных транзисторов — …
  28. Транзисторная схема с общей базой применяется для …
  29. Транзисторная схема с общим эмиттером применяется для …
  30. Установите соответствие режимов биполярного транзистора и их характеристик:
  31. Расположите примеры биполярных транзисторов в следующем порядке: 1) классифицированные по роду исходного материала; 2) классифицированные по типу полярности; 3) классифицированные по технологическим особенностям:
  32. Классификация биполярных транзисторов осуществляется по нескольким критериям. Одним из основных признаков является рассеиваемая мощность. В зависимости от этого параметра, выделяют маломощные, средней мощности и мощные биполярные транзисторы.
    Укажите величину рассеиваемой мощности маломощных биполярных транзисторов.
  33. … транзистор — полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля
  34. МОП-транзистор с … каналом — это полупроводниковый прибор, в котором при нулевом напряжении затвор-исток закрыт
  35. МОП-транзистор с … каналом — это полупроводниковый прибор со встроенным каналом в котором при нулевом напряжении затвор-исток открыт
  36. Режим в полевых транзисторах, при котором транзистор полностью открыт, и ток через него достигает максимального значения, принято называть режимом …
  37. Эффект, из-за которого происходит рассеивание энергии в полевых транзисторах, называется …
  38. Работу полевого транзистора определяет …
  39. Свойство, которое присуще полевым транзисторам – …
  40. Установите соответствие выводов полярного транзистора с его определением:
  41. Расположите в правильной последовательности шаги определения основных параметров транзистора:
  42. У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки – 4В.
    Какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
  43. … — это четырехслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями (низкой проводимости и высокой проводимости)
  44. Прибор, который проводит ток в обоих направлениях, называют симметричным тиристором, или …
  45. Управляющий … — это вывод от одной из баз в тринисторе
  46. Напряжение … — это напряжение между анодом и катодом, при котором происходит переход тиристора в проводящее состояние
  47. … — это прибор, представляющий собой монокристалл полупроводника, в котором созданы четыре чередующиеся области с различным типом проводимости
  48. … позволяет полевым тиристорам работать в силовых цепях
  49. Основной причиной использования полевых тиристоров в схемах с управлением мощностью можно назвать …
  50. Полевые тиристоры наиболее эффективны в …
  51. Установите соответствие тиристоров и их характеристик:
  52. Расположите факторы воздействия на коэффициент запирания тиристора в хронологической последовательности анализа:
  53. Биполярный транзистор с … затвором — это полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура
  54. Биполярный транзистор со … индукцией — это нормально закрытый транзистор со статической индукцией с вертикальным каналом, управляемый током и имеющий входные и выходные характеристики похожие на характеристики обычного биполярного транзистора
  55. Основной параметр, который необходимо учитывать при выборе силовых полупроводников для индуктивных нагрузок — это … переключения
  56. В биполярном транзисторе, когда базовый ток превышает пороговое значение устройство становится …
  57. Преимущество IGBT по сравнению с традиционными транзисторами, заключается в …
  58. Когда биполярный транзистор работает в области активного состояния он …
  59. … обычно используется для уменьшения скачков напряжения при включении транзистора
  60. На пропорциональность между коллекторным и базовым токами указывает …
  61. Установите соответствие между областями работы транзистора и его характеристиками:
  62. Определите последовательность основных этапов процесса изготовления силового статического индукционного транзистора (СИТ):
  63. Устройство, предназначенное для управления мощностью и интегрированное с функциями обработки сигналов на одном чипе, называют интеллектуальной … интегральной схемой
  64. Блок … — это блок, содержащий датчики регулируемых и контролируемых параметров, а сигналы с этих датчиков поступают на регулятор, в функции которого входит формирование закона управления элементами силовой части
  65. Блок формирователей … управления — это блок, который компонует необходимые по форме, амплитуде и длительности импульсы управления, которые поступают на силовые элементы
  66. Блок … источников питания обеспечивает энергией собственные нужды системы, адаптируя напряжение силовых цепей для питания элементов управления
  67. Интеллектуальные силовые интегральные схемы чаще всего используются в …
  68. … позволяют адаптировать параметры работы в реальном времени
  69. В интеллектуальных силовых интегральных схемах часто используется … напряжение
  70. Для улучшения быстродействия интеллектуальной силовой интегральной схемы …
  71. Установите соответствие между названием модуляции и его определением:
  72. Расположите основные этапы работы структурной схемы системы управления (СУ) электронного аппарата в хронологической последовательности:
  73. В электронном устройстве блок управления получает сигнал от датчика, амплитуда которого равна 10 мВ. Блок управления усиливает этот сигнал в 50 раз.
    Необходимо определить, какова будет амплитуда выходного сигнала блока управления в мВ после усиления.
  74. Специальная интегральная схема выходных усилителей необходимая для цепей управления мощными полупроводниковыми ключами называется …
  75. Формирователи импульсов управления с разделением функций импульсов управления и информации по мощности принято называть … драйверами
  76. Часть системы управления преобразователем, которая формирует логику входных сигналов силовых ключей, а затем усиливают до требуемого уровня тока и напряжения принято называть … импульсов управления
  77. Полностью управляемый полупроводниковый ключ, который отпирается и закрывается по сигналу, подаваемому на управляющий электрод, называется … тиристором
  78. … формирователя импульсов определяет ширину импульса
  79. … тип формирователей импульсов управляет длительностью импульсов на основе входного сигнала
  80. … может генерировать формирователь импульсов
  81. Неверно, что … является характеристикой формирователя импульсов
  82. Установите соответствие между типами формирователей импульсов управления с их функциями и принципами работы:
  83. Расположите элементы источника вторичного электропитания в последовательности преобразования напряжения:
  84. Устройство, которое обеспечивает полный комплекс защит для безопасной работы силового ключа называется … драйвером
  85. Изменение по определённому закону параметров последовательности импульсных сигналов для передачи информации принято называть … модуляцией
  86. Системы автоматического управления, которые, получая произвольные сигналы, повторяют их с заданной точностью принято называть асинхронной системой … типа
  87. Система в которой моменты формирования импульсов управления всегда синхронизированы с напряжением сети, к которой подключается ключ, называется синхронной системой с … управлением
  88. Ключевой режим транзистора характеризуется двумя состояниями, такими как …
  89. За фильтрацию сигналов отвечает такой элемент системы управления силовыми ключами, как …
  90. MOSFET силовой ключ полностью открывается в …
  91. Скорость срабатывания силового ключа определяет …
  92. Установите соответствие между названиями драйверов и их определением:
  93. Гибридные силовые приборы, объединяющие высокоскоростные IGBT ключи и оптимизированные драйверы управления затвором со схемами защиты, называются … силовыми модулями
  94. Защитное устройство, предназначенное для аварийного отключения напряжения при перегрузке сети или коротком замыкании, называют … выключателем
  95. Автоматический выключатель одноразового действия, который отключает источник питания при возникновении неисправности, называют … предохранителем
  96. Специальные цепочки, обеспечивающие безопасность работы силовых модулей и предотвращение повреждений, называются … цепями силовых модулей
  97. Для надежности силовых полупроводниковых ключей наиболее критичным фактором является …
  98. Основная цель защиты силовых полупроводниковых ключей – …
  99. Активной защитой силовых полупроводниковых ключей является …
  100. Наиболее часто защита от перенапряжений осуществляется посредством …
  101. Установите соответствие между названием явлений при работе силовых полупроводниковых ключей и его определением:
  102. Определите последовательность этапов разработки силовых полупроводниковых ключей для уменьшения паразитных индуктивностей:
  103. Устройство, в котором энергия передаётся на выход только в течение одной части периода преобразования, называется однотактным преобразователем …
  104. Полупроводниковое устройство, в основе которого лежат свойства статического индукционного транзистора (СИТ), представляющего собой полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, называют …на статическом индукционном транзисторе
  105. Устройство, в котором энергия, запасённая в индуктивности при замкнутом состоянии ключа, передаётся на выход в паузе, то есть, когда ключевой транзистор заперт, называют … однотактным преобразователем напряжения
  106. Устройство, в котором энергия передаётся в нагрузку в момент замкнутого состояния ключевого транзистора, называют … однотактным преобразователем напряжения
  107. Использование силовых ключей … КПД электродвигателя
  108. Для управления силовыми ключами в инверторных системах применяют …
  109. В системах рекуперации энергии используют такой прибор, как …
  110. … — прибор, который чаще всего используется в системе преобразования частоты
  111. Установите соответствие между названием полупроводникового ключа и их определением:
  112. Расположите последовательность действий при выборе приборов для систем управления электродвигателями.
  113. Корректность работы электрооборудования, особенно в промышленных масштабах, напрямую зависит от соблюдения стандартных значений частоты. Поэтому Россия, как и многие другие страны, строго придерживается стандарта для обеспечения стабильного и безопасного функционирования своей электросети и подключенного к ней оборудования.
    Какая частота переменного электрического тока принята в Российской Федерации?
  114. В 1960-х годах произошло важное событие в истории электроники — были созданы устройства, которые стали основой для дальнейшего развития этой области.
    Какое событие связано с этим периодом?
  115. В 1970-х годах, когда вычислительная техника стремительно развивалась, на рынке появилась потребность в более компактных и производительных устройствах для обработки данных. Ранее применяемые интегральные схемы и транзисторы занимали много места и требовали сложных конструкций для использования в компьютерах, что ограничивало их применение в различных областях, включая образование, бизнес и науку.
    Что было разработано фирмой Intel в этом промежутке времени?
  116. Одним из основных параметров таких диодов является чувствительность по току (отношение приращения выпрямленного тока при заданной нагрузке в выходной цепи диода к мощности СВЧ-сигнала, подводимой ко входу диодной камеры с таким диодом в рабочем режиме и вызвавшей это приращение). Чувствительность по току этого диода зависит от постоянного прямого тока смещения. Наибольшие значения чувствительности по току обычно получаются при прямом токе смещения в несколько десятков микроампер.
    Назовите диод, о котором говорится в описании.
  117. В таком диоде используется не р-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Энергетические уровни, соответствующие зоне проводимости, в полупроводнике заполнены больше, чем в металле. Поэтому после соединения металла и полупроводника часть электронов перейдет из полупроводника в металл. Это приведет к уменьшению концентрации электронов в полупроводнике n-типа. Возникнет область полупроводника, обедненная свободными носителями электричества и обладающая повышенным удельным сопротивлением. В области перехода появятся объемные заряды и образуется потенциальный барьер, препятствующий дальнейшему переходу электронов из полупроводника в металл.
    Назовите диод, о котором говорится в описании.
  118. В соответствии с ОСТ 11 336.038-77, система обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов основывается на семизначном буквенно-цифровом коде.
    Что является первым элементом этого кода? Что он обозначает?
  119. Классификация биполярных транзисторов осуществляется по нескольким критериям. Одним из основных признаков является рассеиваемая мощность. В зависимости от этого параметра, выделяют маломощные, средней мощности и мощные биполярные транзисторы.
    Укажите величину рассеиваемой мощности маломощных биполярных транзисторов.
  120. В соответствии с ОСТ 11 336.038-77, для идентификации биполярных транзисторов используется семизначный код, состоящий из букв и цифр.
    Что является последним, седьмым элементом этого кода? Что он обозначает?
  121. У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки — 4В.
    Какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
  122. У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки – 4В.
    Чему равна крутизна при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
  123. В усилительном каскаде с общим истоком сопротивление нагрузки равно 20 кОм. Эффективное входное сопротивление полевого транзистора составляет 20 кОм, а рабочая крутизна – 2 мА/В.
    Определите коэффициент усиления каскада?
  124. В электронном устройстве блок управления получает сигнал от датчика, амплитуда которого равна 10 мВ. Блок управления усиливает этот сигнал в 50 раз.
    Необходимо определить, какой будет амплитуда выходного сигнала блока управления в мВ после усиления.
  125. В одном электронном устройстве датчик температуры генерирует сигнал с напряжением 0,5 В при температуре 20 °C и 4 В при температуре 100 °C.
    Определите коэффициент чувствительности этого датчика (мВ/°C)?
  126. Микроконтроллер, функционирующий на частоте 16 МГц, для выполнения одной операции требует двух тактов.
    Сколько операций способен осуществить этот микроконтроллер за одну миллисекунду?
  127. … — отрасль науки и техники, связанная с исследованиями, разработкой, изготовлением и применением электронных, ионных и полупроводниковых устройств
  128. Область электроники, решающая проблемы конструирования, изготовления и применения интегральных схем и функциональных устройств называется … микроэлектроникой
  129. Направление электроники, основанное на использовании физических принципов интеграции и динамических неоднородностей, обеспечивающих несхемотехнические принципы работы устройств называется … микроэлектроникой
  130. Первый микропроцессор создали в …
  131. … считается началом «электронной революции»
  132. Основой для создания транзистора стал …
  133. Установите соответствие между понятиями электронных приборов и их определениями:
  134. Установите соответствие между понятиями электронных приборов и их определениями:
  135. Расположите года, когда были изобретены устройства в порядке: 1) диод; 2) транзистор; 3) тиристор:
  136. Установите последовательность электронных приборов в развитии энергетической электронике в хронологическом порядке:
  137. Функция полупроводникового … — проводить электрический ток в одном направлении и не пропускать его в обратном
  138. Приемник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счет процессов в p-n-переходе, принято называть …
  139. … диоды — это диоды, использующие для преобразования переменного тока в постоянный
  140. Полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении, — это …
  141. … — это самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n-перехода
  142. В зависимости от конструкции и технологии изготовления выделяют … диоды
  143. Установите соответствие принципов классификации полупроводниковых диодов и соответствующих примеров:
  144. Установите соответствие разновидностей полупроводниковых диодов и их характеристик:
  145. Расположите определения понятий в порядке: 1) стабилитроны; 2) стабисторы; 3) варикапы:
  146. Расположите этапы работы силовых полупроводниковых диодов в хронологическом порядке:
  147. Полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей, имеющий три или более выводов, принято называть …
  148. Для регулировки и стабилизации напряжения источников питания применяется транзисторная схема с общей …
  149. Для усиления сигнала применяется транзисторная схема с общим …
  150. Граничная частота среднечастотных биполярных транзисторов — …
  151. … — это одна из крайних областей биполярного транзистора, предназначенная для инжекции (впрыскивания) неосновных носителей заряда в область базы
  152. … — это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три электрода
  153. Установите соответствие параметров полевых транзисторов и их характеристик:
  154. Установите соответствие режимов биполярного транзистора и их характеристик:
  155. Расположите определения понятий в порядке: 1) база биполярного транзистора; 2) канал полевого транзистора; 3) коллектор биполярного транзистора:
  156. Расположите примеры биполярных транзисторов, классифицированных: 1) по роду исходного материала, 2) по типу полярности; 3) по технологическим особенностям:
  157. … транзистор — полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля
  158. Режим работы транзистора с встроенным каналом, при котором концентрация носителей в канале больше равновесной называют режимом …
  159. Напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока, называют … напряжением
  160. … – это вид полевого транзистора, характеризующийся положительным смещением затвора
  161. Для N-канального полевого транзистора критическим значение порогового напряжения считается …
  162. Структура, в которой используются полевые транзисторы, называется …
  163. Установите соответствие выводов полярного транзистора и с его определением:
  164. Расположите определения понятий в порядке: 1) МДП-транзистор; 2) МОП-транзистор с индуцированным каналом; 3) МОП-транзистор с собственным каналом»:
  165. Расположите шаги определения основных параметров транзистора по заданной схеме:
  166. Полупроводниковый прибор, который, с одной стороны, имеет свойства закрытого и открытого состояния, а с другой — позволяет блокировать ток в цепи управления называют … тиристором
  167. Электрод, который соединяется с положительным полюсом источника тока называют …
  168. Отрицательный электрод, который служит источником электронов называют …
  169. … позволяет полевым тиристорам работать в силовых цепях
  170. Основная причина использования полевых тиристоров в схемах с управлением мощностью — …
  171. Полевые тиристоры наиболее эффективны в …
  172. Установите соответствие между названием полупроводникового прибора и его определением:
  173. Установите соответствие тиристоров и их характеристик:
  174. Расположите название тиристоров в порядке, представленном на рисунке (слева направо):
  175. Расположите факторы, воздействующие на коэффициент запирания тиристора, в порядке их анализа:
  176. Выходные характеристики биполярного транзистора, определяющие его работу в зависимости от смещения p-n-переходов, называют … работы транзистора
  177. При выборе силовых полупроводников для индуктивных нагрузок необходимо учитывать … переключения
  178. В биполярном транзисторе, когда базовый ток превышает пороговое значение, устройство становится …
  179. Преимущество IGBT, по сравнению с традиционными транзисторами, заключается в …
  180. IGBT (изолированный затворный биполярный транзистор) – это …
  181. Для управления силовыми тиристорами чаще всего применяются … схемы
  182. Установите корреляцию между этапами развития коммерческого применения IGBT-транзисторов (поколениями) и ключевыми характеристиками транзисторов, которые были достигнуты на каждом из этих этапов:
  183. Установите соответствие между областями работы транзистора и их характеристиками:
  184. Расположите определения понятий транзисторов в порядке: 1) биполярный с изолированным затвором; 2) биполярный со статической индукцией; 3) статический индукционный:
  185. Расположите этапы процесса изготовления силового статического индукционного транзистора (СИТ) в хронологическом порядке:
  186. Интеллектуальные … интегральные схемы (ИСИС) объединяют управление, обработку сигналов и силовую электронику на одном чипе, обеспечивая компактность, энергоэффективность и повышение производительности устройств
  187. Интеллектуальные … модули (ИСИС) — это устройства, объединяющие в одном кристалле или корпусе силовые электронные компоненты, схемы их управления, защиты, диагностики состояния модуля, а также различные интерфейсы
  188. Ключевым преимуществом интеллектуальных силовых интегральных схем считается …
  189. Для управления инверторами чаще всего применяется … модуляция
  190. В интеллектуальных силовых интегральных схемах часто используют …
  191. Для управления силовыми устройствами чаще всего используют …
  192. Установите соответствие между названием устройства и его определением:
  193. Установите соответствие между названием модуляции и его определением:
  194. Расположите определения блоков в структурной схеме системы управления электронными аппаратами в порядке: 1) определение вторичного источника питания; 2) определение датчиков; 3) определение формирователей импульсов управления:
  195. Определите последовательность основных этапов работы структурной схема системы управления электронного аппарата (СУ):
  196. Часть системы управления преобразователем, которая формирует логику входных сигналов силовых ключей, а затем усиливают до требуемого уровня тока и напряжения принято называть … импульсов управления
  197. Система управления … преобразователями постоянного напряжения строится на основе широтно-импульсного метода регулирования выходного напряжения и частотно-импульсного метода, который меняет длительность управляющих импульсов при неизменной частоте из следования
  198. Ширину импульса определяет … формирователя импульсов
  199. Формирователи импульсов чаще всего используют для …
  200. Генерировать формирователь импульсов может … сигнал
  201. К отличиям импульсных устройств от аналоговых относится то, что … (укажите 2 варианта ответа)
  202. Установите соответствие между устройствами формирователей импульсов управления и их определениями:
  203. Установите соответствие между типами формирователей импульсов управления с их функциями и принципами работы:
  204. Расположите элементы источника вторичного электропитания в последовательности преобразования напряжения:
  205. Устройство, управляющее основными динамическими параметрами, такими как скоростью нарастания тока и напряжения, временем задержки включения, максимальными значениями тока затвора и напряжения на коллекторе и т.д.) во всех режимах работы, называется …
  206. Изменение по определённому закону параметров последовательности импульсных сигналов для передачи информации принято называть … модуляцией
  207. Система в которой частота генерации импульсов управления становится синхронной по отношению к частоте напряжения сети только в установившемся режиме при замкнутом контуре регулирования фазой импульса управления, называется асинхронной системой с … управлением
  208. За фильтрацию сигналов отвечает … системы управления силовыми ключами
  209. MOSFET силовой ключ полностью открывается в режиме …
  210. Основная функция силового электронного ключа — …
  211. Установите соответствие между названиями драйверов и их определениями:
  212. Установите соответствие между названиями драйверов и их определениями:
  213. Расположите определения систем управления в порядке: 1) асинхронная система следящего типа; 2) синхронная система с фазовым управлением; 3) система фазовой автоподстройки частоты:
  214. Гибридные силовые приборы, объединяющие высокоскоростные IGBT ключи и оптимизированные драйверы управления затвором со схемами защиты, называются … силовыми модулями
  215. Для токов менее … А рекомендуется использовать многожильные проводники, что позволяет снизить электромагнитные помехи при монтаже основных узлов силовой схемы
  216. При токах от 150 А до … А используют проводники в виде металлических пластин или специальных монтажных плат с проводящими и изолирующими слоями
  217. Режим работы полупроводниковых ключей, требующий особых мер защиты, — …
  218. Основная цель защиты силовых полупроводниковых ключей — …
  219. Активной защитой силовых полупроводниковых ключей является …
  220. Установите соответствие между понятиями и их определениями:
  221. Установите соответствие между названиями явлений при работе силовых полупроводниковых ключей и их определениями:
  222. Расположите определения устройств в следующем порядке: 1) автоматический выключатель; 2) интеллектуальные силовые ключи; 3) плавкий предохранитель:
  223. Определите последовательность разработки силовых полупроводниковых ключей для уменьшения паразитных индуктивностей:
  224. Расположите года, когда были изобретены устройства в порядке: 1) диод; 2) транзистор; 3) тиристор:
  225. Полупроводниковое устройство, в основе которого лежат свойства СИТ, представляющего собой полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, называют … на статическом индукционном транзисторе
  226. Управляемый бесконтактный ключ, основанный на тиристоре, состояние которого определяется наличием или отсутствием управляющего сигнала, называют … ключом
  227. Наиболее критичный фактор для надежности силовых полупроводниковых ключей — …
  228. … помогает снизить уровень шумов на выходе силовых ключей?
  229. … выполняет функции защиты и управления одновременно
  230. Установите соответствие между аббревиатурами модификации запираемых тиристоров с управляемым затвором и их определениями:
  231. Установите соответствие между названиями полупроводникового ключа и их определениями:
  232. Расположите определения преобразователей напряжения в следующем порядке: 1) однотактный; 2) обратноходовым однотактный; 3) прямоходовой однотактный:
  233. Расположите действия при выборе приборов для систем управления электродвигателями в хронологической последовательности:
  234. Функция полупроводникового … — проводить электрический ток в одном направлении и не пропускать его в обратном
  235. К отличиям импульсных устройств от аналоговых относится то, что …
  236. Для токов менее … А рекомендуется использовать многожильные проводники, что позволяет снизить электромагнитные помехи при монтаже основных узлов силовой схемы