Физические основы электроники и радиоматериалы.э

Скачать тест — (Физические основы электроники и радиоматериалы.э_52caf111.pdf)

  1. По электропроводности все материалы делятся на …
  2. Основным видом проводимости в полупроводниках p-типа является … проводимость
  3. Наиболее распространенным полупроводниковым материалом является …
  4. С увеличением температуры проводимость собственного полупроводника …
  5. Изображенная на рисунке кристаллическая решетка называется …
  6. Процесс внедрения примесей в полупроводники называется …
  7. Основным видом проводимости в полупроводниках n-типа является … проводимость
  8. При взаимодействии электрона с дыркой происходит … зарядов
  9. На рисунке изображена зонная структура, характерная для …
  10. При прямом включении p-n-перехода высота потенциального барьера …
  11. Связи в кристаллической решетке полупроводника носят … характер
  12. Направленное движение свободных носителей заряда в полупроводниках под действием электрического поля – это …
  13. Когда на p-область перехода подается отрицательное напряжение, а на n-область – положительное, такое состояние p-n-перехода называется …
  14. При обратном включении p-n-перехода высота потенциального барьера …
  15. На рисунке изображена зонная структура, характерная для …
  16. Электрический ток в полупроводниках обеспечивается движением электронов, находящихся …
  17. Полупроводниковый диод …
  18. Когда на p-область перехода подается положительное напряжение, а на n-область – положительное той же величины, такое состояние p-n-перехода называется …
  19. Проникновение неосновных носителей заряда из p-области в n-область и обратно – это …
  20. Когда на p-область перехода подается положительное напряжение, а на n-область – отрицательное, такое состояние p-n-перехода называется …
  21. Оксид кремния является …
  22. … – это вывод подключения диода, связанный с n-областью
  23. Термоэлектронная эмиссия возникает при …
  24. При увеличении обратного напряжения емкость p-n-перехода …
  25. При увеличении концентрации примесей собственная проводимость полупроводника …
  26. При увеличении температуры в пределах рабочего диапазона примесная проводимость полупроводника …
  27. Ток в электровакуумном приборе может увеличиться в случае …
  28. При уменьшении прямого напряжения емкость p-n-перехода …
  29. … – один из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение
  30. Обратный ток p-n-перехода также называют … током
  31. Составляющими полного тока p-n-перехода являются …
  32. Электровакуумный прибор, называемый …, содержит как минимум одну управляющую сетку
  33. На рисунке изображен дефект кристаллической решетки, получивший название …
  34. Преодоление частицами потенциального барьера в случае, если ширина перехода меньше длины волны частицы, называется … пробоем
  35. Элементами электровакуумного триода являются …
  36. В полупроводниковом транзисторе в зависимости от его структуры …
  37. Эффект, возникающий в случае цепной ионизации атомов полупроводника вследствие соударения электронов с достаточной энергией, называется …
  38. На рисунке изображен дефект кристаллической решетки, получивший название …
  39. К полупроводниковым материалам относят …
  40. В p-n-переходе могут происходить …
  41. Эффект, возникающий вследствие саморазогрева полупроводника при протекании через p-n-переход обратного тока, называется …
  42. На рисунке изображен дефект кристаллической решетки, получивший название …
  43. При увеличении температуры в пределах рабочего диапазона обратный ток p-n-перехода …
  44. В порядке увеличения проводимости материалы располагаются следующим образом: …
  45. На рисунке изображен дефект кристаллической решетки, получивший название …